张恩霞
【姓名】 张恩霞
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;航空航天科学与工程;物理学;
【研究方向】 SOI材料及器件抗辐射加固方面的研究
【发表文献关键词】 nMOSFET,SIMOX,氮注入,辐射硬度,电子迁移率,埋氧层,阈值电压,注氮工艺,MOSFET,部分耗尽,SIMON,离子注入,氧氮,SOI材料,绝缘体上硅(SOI),抗辐照,电特性,总剂量辐照效...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[2]贺威;张恩霞;钱聪;张正选;.部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究[J]功能材料与器件学报.2006,(04)
[3]杨慧;张恩霞;张正选;.Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)[J]半导体学报.2007,(03)
[4]杨慧;张正选;张恩霞;.Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应[J]功能材料与器件学报.2007,(03)
[5]郑中山;张恩霞;刘忠立;张正选;李宁;李国花;.SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响[J]物理学报.2007,(09)
[6]宋朝瑞;程新红;张恩霞;邢玉梅;俞跃辉;郑志宏;沈勤我;张正选;王曦;.氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究[J]核技术.2007,(08)
[7]俞文杰;张正选;张恩霞;钱聪;贺威;田浩;陈明;王茹;.部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文)[J]功能材料与器件学报.2007,(06)
[8]田浩;张正选;张恩霞;贺威;俞文杰;王茹;.SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与~(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对[J]功能材料与器件学报.2007,(06)
[9]黄洁雯,吴锵,张恩霞.半固态复合铸造SiC_P/ZL102的摩擦磨损行为研究[J]江苏冶金.2003,(06)
[10]易万兵,陈猛,张恩霞,刘相华,陈静,董业民,金波,刘忠立,王曦.具有复合埋层的新型SIMON材料的制备[J]半导体学报.2004,(07)
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[1]武爱民;陈静;张恩霞;杨慧;张正选;王曦;.注硅工艺对UMBOND SOI材料抗辐照性能的影响[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）.2007-11-01
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