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王曦

【姓名】	王曦
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;材料科学;物理学;
【研究方向】	SOI材料与器件研究工作
【发表文献关键词】	SIMON,nMOSFET,人工心脏瓣膜,注入剂量,氧氮,SIMOX,氮注入,埋层,电子迁移率,阈值电压,埋氧层,辐射硬度,注氮工艺,上海微系统与信息技术研究所,部分耗尽,血液相容性,MOSFET,材...
【工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】	上海

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中国期刊全文数据库 共找到66篇

[1]伍青青;陈静;罗杰馨;吕凯;柴展;余涛;王曦;.Asymmetric Underlap in Scaled Floating Body Cell Memories[J]Chinese Physics Letters.2013,(06)

[2]朱雷;常永伟;高楠;苏鑫;董业民;费璐;魏星;王曦;.Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates[J]Chinese Physics Letters.2018,(04)

[3]程实;常永伟;高楠;董业民;费璐;魏星;王曦;.Radio-Frequency Characteristics of Partial Dielectric Removal HR-SOI and TR-SOI Substrates[J]Chinese Physics Letters.2017,(06)

[4]王曦;.物联网时代的传感器和材料创新[J]电子产品世界.2016,(01)

[5]陈鑫;仇超;盛振;武爱民;黄海阳;赵瑛璇;李伟;王曦;邹世昌;甘甫烷;.Design of an ultra-broadband and fabrication-tolerant silicon polarization rotator splitter with SiO_2 top cladding[J]Chinese Optics Letters.2016,(08)

[7]郑晓虎;张苗;黄安平;肖志松;朱剑豪;王曦;狄增峰;.Pattern transition from nanohoneycomb to nanograss on germanium by gallium ion bombardment[J]Chinese Physics B.2015,(05)

[8]吕凯;陈静;罗杰馨;何伟伟;黄建强;柴展;王曦;.Effects of back gate bias on radio-frequency performance in partially depleted silicon-on-inslator nMOSFETs[J]Chinese Physics B.2015,(08)

[10]陈龙;裴嘉鼎;史达特;李成;张建明;俞文杰;狄增峰;王曦;.Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si(001) substrates[J]Chinese Physics B.2015,(11)

中国重要会议全文数据库 共找到4篇

[1]武爱民;陈静;张恩霞;杨慧;张正选;王曦;.注硅工艺对UMBOND SOI材料抗辐照性能的影响[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）.2007-11-01

[2]贺威;张正选;田浩;杨惠;俞文杰;王茹;陈明;王曦;.注硅对SIMOX材料性能影响的研究[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（4）.2007-11-01

[3]王曦;孙佳胤;武爱民;陈静;王曦;.新型硅基GaN外延材料的热应力模拟[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（10）.2007-11-01

[4]张继华;杨传仁;陈宏伟;王曦;.碳纳米管的改性及其场发射性能研究[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01