雷本亮
【姓名】 雷本亮
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 HVPE,GaN,衬底氮化,氢化物气相外延,氮化镓,纳米孔,阳极氧化铝,氮化,ICP刻蚀,流体动力学,Raman,GaN生长,分子束外延,Ⅲ/Ⅴ比,PL谱,黄带发光,射频等离子体,GaN外延层,氮化时...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]王笑龙;于广辉;雷本亮;隋妍萍;孟胜;齐鸣;李爱珍;.纳米孔氮化镓材料的制备和研究[J]功能材料与器件学报.2006,(04)
[2]隋妍萍;于广辉;孟胜;雷本亮;王笑龙;王新中;齐鸣;.射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光[J]发光学报.2006,(06)
[3]孟兆祥,于广辉,叶好华,雷本亮,李存才,齐鸣,李爱珍.水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长[J]功能材料与器件学报.2003,(04)
[4]叶好华,于广辉,雷本亮,齐鸣,李爱珍.衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响[J]稀有金属.2004,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]于广辉;林朝通;王新中;曹明霞;雷本亮;齐鸣;李爱珍;.厚膜氮化镓材料的HVPE生长[A].第11届全国发光学学术会议论文摘要集.2007-08-01
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