王元樟
【姓名】 王元樟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 CdTe,倒易点,外延层,HgCdTe,外延材料,分子束外延,摇摆曲线,分子束,碲镉汞,半峰宽,碲化镉,硅基,生长条件,ZnTe,晶体质量,二维图,联动扫描,弧秒,研究综述,CdTe/Si,X射线,衬...
【工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】 上海
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[1]何力;陈路;吴俊;巫艳;王元樟;于梅芳;杨建荣;丁瑞军;胡晓宁;李言谨;张勤耀;.应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延(英文)[J]半导体学报.2006,(03)
[2]王元樟;陈路;巫艳;吴俊;于梅芳;方维政;何力;.在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变[J]红外与激光工程.2006,(04)
[3]巫艳;吴俊;魏青竹;陈路;于梅芳;王元樟;傅祥良;乔怡敏;何力;.碲镉汞As掺杂技术研究[J]激光与红外.2006,(11)
[4]陈路;傅祥良;巫艳;吴俊;王伟强;魏青竹;王元樟;何力;.Si基大面积碲镉汞分子束外延研究[J]激光与红外.2006,(11)
[5]王元樟.用X射线衍射评价硅基碲镉汞分子束外延材料及优化其生长条件研究综述[J]红外.2003,(09)
[6]陈路,王元樟,巫艳,吴俊,于梅芳,乔怡敏,何力.分子束外延CdTe(211)B/Si复合衬底材料[J]红外与毫米波学报.2005,(04)
[7]王元樟,陈路,巫艳,吴俊,于梅芳,方维政,何力.Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角[J]人工晶体学报.2005,(04)
[8]王元樟,陈路,巫艳,吴俊,于梅芳,方维政,何力.在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变[J]人工晶体学报.2005,(04)
[9]陈路,王元樟,巫艳,吴俊,于梅芳,乔怡敏,何力.Si基CdTe复合衬底分子束外延研究[J]激光与红外.2005,(11)
[10]王元樟,陈路,巫艳,吴俊,于梅芳,方维政,何力.在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变[J]激光与红外.2005,(11)
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