王缙
【姓名】 王缙
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;建筑科学与工程;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 转移失效率,CCD,微电子测试图形,界面态,平带电压,CCD工艺,电离辐射损伤,MOS电容,辐照,存贮时间,栅氧化,电离辐射,界面态密度,多晶硅,Si-SiO_2,监控,感生,加固工艺,转移效率,埋栅...
【工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】
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[1]任迪运,张玲珊,瞿则涛,严荣良,董亮初,王缙,吴作良.表面n沟CCD的电离辐射损伤[J]核电子学与探测技术.1987,(03)
[2]张钢,林应新,王缙,汪仁伍.利用微电子测试图形监控CCD工艺[J]五邑大学学报(社会科学版).1987,(02)
[3]李杰,王缙,董亮初,严荣良,余学锋,张玲珊,陆妩,米拉提汗.CCD电离辐射加固工艺研究[J]核电子学与探测技术.1990,(04)
[4]李杰,王缙,严荣良,陆妩,余学锋.Si-SiO_2界面的辐射感生界面态[J]核技术.1991,(03)
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