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[1]罗颖,曹根娣,耿健新,瞿荣辉,陈高庭,方祖捷.光纤光栅外腔半导体激光器纵模特性研究[J]光学学报.2000,(03)
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[2]耿健新,曹根娣,罗颍,瞿荣辉,陈高庭,方祖捷,王向朝.光纤光栅外腔半导体激光器的实验研究[J]中国激光.2000,(06)
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[3]瞿荣辉,耿健新,张位在,曹根娣,罗颍,陈高庭,王向朝,方祖捷.光纤光栅外腔半导体激光器的高频调制特性[J]光学学报.2001,(11)
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[4]阮昊,陈述春,方祖捷,曹根娣,陈高庭,戴凤妹,干福熹.可用于光存储和光学信息处理的SrS(Eu,Sm)电子俘获薄膜的研究[J]光学学报.1998,(08)
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[5]刘枝伍,曹根娣.GaAs(100)面光栅皱折的形成[J]激光.1981,(01)
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[6]朱筱春,曹根娣,杨建群,王海龙.Pb_(1-x)Sn_xTe中的cd扩散[J]激光.1982,(01)
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[7]陈兰荣,朱鑫铭,朱筱春,曹根娣,王海龙,支婷婷.硅光电子开关[J]激光.1982,(04)
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[8]朱筱春,曹根娣,杨建群,王海龙.Pb_(1-x)Sn_xTe(LTT)中的扩散—Sb扩散的表面形貌[J]激光.1982,(09)
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[9]朱筱春,曹根娣,张位在,杨建群,王海龙.水平无籽晶气相生长的Pb_(1-x)Sn_xTe二极管激光器[J]中国激光.1983,(10)
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[10]朱筱春;曹根娣;张位在;王海龙;.一种制造Pb_(1-x)Sn_xTe二极管激光器的新方法[J]中国激光.1983,(Z1)
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