张远仪
【姓名】 张远仪
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 约瑟夫逊器件,离子束刻蚀,超导隧道结,等离子体加工,隧道结,离子束,去胶,SQUID,束流密度,亚微米,超导器件,离子能量,刻蚀剂,上电极,光刻胶,刻蚀速率,硅化物,Ag/Bi多层膜,Nb/si多层膜...
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张明,于文,张君,张远仪,王文魁.Nb/Si多层膜中晶态硅化物的第一形成相[J]科学通报.1996,(09)
[2]张明,于文,张君,张远仪,王文魁.Nb/si多层膜中晶态硅化物的相演化[J]科学通报.1996,(11)
[3]张明,于文,张君,张远仪,王文魁.Ag/Bi多层膜的互扩散行为研究[J]科学通报.1996,(23)
[4]张明,于文,张君,张远仪,王文魁.Phase evolution of silicide in Nb/Si multilayers[J]Chinese Science Bulletin.1996,(15)
[5]叶维江,陈烈,张远仪,杨然.离子束刻蚀技术在约瑟夫逊器件工艺中的应用[J]低温与超导.1987,(02)
[6]张胤,杨沛然,叶维江,张远仪,于红伟.超导器件制备的等离子体加工工艺[J]低温与超导.1987,(03)
[7]杨沛然,陈烈,叶维江,张胤,张远仪.亚微米Nb-Si-Nb超导隧道结研究[J]低温与超导.1988,(02)
[8]杨沛然,陈烈,于红卫,张远仪,张胤,徐凤枝.Nb-Si-Nb隧道结DC—SQUID[J]低温与超导.1989,(01)
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