相文峰
【姓名】 相文峰
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅基集成电路,栅极介电层,高介电常数氧化物材料,原子尺度,氧化物薄膜,磁电阻,钙钛矿,外延生长,异质,凝聚态物理,物理实验室,氧化物材料,物理研究所,中国科学院,SrTiO3,变化率,LSMO,栅极,...
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]相文峰;刘琨;赵昆;钟寿仙;.Ni(Pt) germanosilicide contacts formed on heavily boron doped Si_(1-x)Ge_x substrates for Schottky source/drain transistors[J]Journal of Semiconductors.2013,(12)
[2]杨国桢,吕惠宾,陈正豪,戴守愚,周岳亮,刘立峰,何萌,郭海中,相文峰,费义艳.原子尺度控制钙钛矿氧化物薄膜的异质外延生长和特性研究[J]低温物理学报.2003,(S1)
[3]相文峰,颜雷,谈国太,郭海中,刘丽峰,吕惠宾,周岳亮,陈正豪.硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状[J]物理.2003,(04)
[4]何萌;吕惠宾;黄延红;赵昆;田焕芳;相文峰;陈正豪;周岳亮;金奎娟;李建奇;杨国桢;.用激光分子束外延在Si衬底上外延生长La_(1-x)Sr_xMnO_3单晶薄膜[J]中国科学G辑:物理学、力学、天文学.2005,(06)
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