王文冲
【姓名】 王文冲
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化,PHEMT,赝配高电子迁移率晶体管,砷化铝,分子束外延,界面粗糙度,高电子迁移率晶体管,表面活化剂,反型,量子阱,氧化层,光致发光,掺In,器件特性,界面质量,AlGaAs/GaAs,AlAs,...
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]尚勋忠,王文冲,郭丽伟,吴曙东,牛萍娟,黄绮,周均铭.掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用[J]半导体学报.2004,(09)
[2]王文冲,贾海强,陈弘,王文新,李卫,黄绮,周均铭.AlAs氧化层的Raman研究[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
[3]贾海强,陈弘,王文冲,王文新,李卫,黄绮,周均铭.GaAsSOI衬底上PHEMT器件特性演示[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
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