刘双
【姓名】 刘双
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 带隙,GaAs,取向碳纳米管膜,掺杂浓度,光致荧光谱,单异质结,调制掺杂,场放大系数β,场发射,Fowler-Nordheim公式,碳纳米管,AIGaAs,导带,受主能级,跃迁,价带,二维电子,中国科...
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到5篇
[1]葛颂,冯孙齐,俞大鹏,张广宇,刘双.取向碳纳米管膜的大面积制备及其场发射性能的研究[J]北京大学学报(自然科学版).2003,(03)
[2]刘双;梅笑冰;蔡丽红;黄绮;周均铭;.硅上砷化镓分子束外延工艺及器件应用[J]半导体情报.1991,(06)
[3]刘双;杨中兴;黄绮;周均铭;.软动作快门设计与应用[J]半导体情报.1991,(06)
[4]程文芹,梅笑冰,刘双,刘玉龙,李永康,周均铭.掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响[J]物理学报.1992,(06)
[5]程文芹,刘双,周均铭,刘玉龙,朱恪.(110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱[J]物理学报.1993,(09)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]钟定永;刘双;王恩哥;.大面积定向碳氮纳米管场发射阴极[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01
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