戴道扬
【姓名】 戴道扬
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 吸除技术,非晶,晶化过程,离子导体,非金属触媒,X射线形貌,正电子湮没寿命谱,硅单晶,正电子,相变几率,Li_2O,点阵参数,沉淀物,扫描电子显微镜,B_2O_3,吸除,平均寿命,形貌,片状,金刚石合...
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]吴奇,孙力玲,戴道扬,张君,秦志成,王文魁.高温高压下采用非金属触媒合成金刚石[J]中国科学(A辑).1999,(10)
[2]苏昉,郁伟中,戴道扬,赵宗源.非晶离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl-xAl_2O_3晶化过程的正电子湮没寿命谱和扫描电子显微镜研究[J]物理学报.1985,(05)
[3]储晞,麦振洪,戴道扬,崔树范,葛培文.硅单晶中片状沉淀物X射线形貌研究[J]物理学报.1987,(03)
[4]周士仁,叶以正,叶水驰,麦振洪,戴道扬,杨家德,陈慕章.双吸除技术在CCD制造中的应用及其具有增强吸除功能的研究[J]半导体学报.1988,(02)
[5]戴道扬;麦振洪;冯晓霞;姜彦岛;张蕴芝;.La_2Ti_2O_7晶体缺陷的阴极射线致发光形貌术的研究[J]电子显微学报.1988,(01)
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