周小茵
【姓名】 周小茵
【职称】
【研究领域】 计算机硬件技术;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 曝光技术,器件研究,栅控二极管,两级灵敏放大器,ATD电路,SOIESD电路,DWL技术,表面沟,静态随机存储器,硅栅,CMOS/SOI,阈值电压,部分耗尽SOI,抗E,总剂量,光学曝光,辐照前,亚阈...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]郭天雷;韩郑生;海潮和;周小茵;李多力;赵立新;.PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固[J]电子器件.2007,(03)
[2]郭天雷;赵发展;刘刚;李多力;李晶;赵立新;周小茵;海潮和;韩郑生;.总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器(英文)[J]半导体学报.2007,(08)
[3]汤仙明,韩郑生,周小茵,海潮和,赵立新.CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验[J]微电子学.2004,(06)
[4]韩郑生,周小茵,海潮和,刘忠立,吴德馨.CMOS/SOI64Kb静态随机存储器[J]半导体学报.2001,(01)
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