苏树兵
【姓名】 苏树兵
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 异质结双极型晶体管,自对准,磷化铟,InP/InGaAs,异质结双极晶体管,复合集电区,掺杂浓度,势垒尖峰,InP,微空气桥,器件输出特性,发射极,集电结,新结构,阻挡效应,气态源分子束外延,有效势垒...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]苏树兵;刘训春;刘新宇;于进勇;王润梅;徐安怀;齐鸣;.采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)[J]半导体学报.2006,(03)
[2]苏树兵;刘新宇;徐安怀;于进勇;齐鸣;刘训春;王润梅;.MBE生长的InP DHBT的性能(英文)[J]半导体学报.2006,(05)
[3]苏树兵;徐安怀;刘新宇;齐鸣;刘训春;王润梅;.基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT[J]半导体学报.2006,(06)
[4]孙浩;齐鸣;徐安怀;艾立鹍;苏树兵;刘新宇;刘训春;钱鹤;.带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析[J]半导体学报.2006,(08)
[5]于进勇;刘新宇;苏树兵;王润梅;徐安怀;齐鸣;.基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)[J]半导体学报.2007,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]苏树兵;于进勇;刘新宇;刘训春;王润梅;徐安怀;齐鸣;.高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27
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