邵红旭
【姓名】 邵红旭
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体新器件结构研究
【发表文献关键词】 槽栅,部分耗尽,特性仿真,体接触,击穿特性,CMOS,nMOS,硅化物,英文,击穿机制,SOI工艺,微电子,器件模拟,中国科学院,详细讨论,浮空,MOSFETs,VLSI,晶体管,研究所,IEEE,槽...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]邵红旭;吴峻峰;韩郑生;孙宝刚;.硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响[J]微电子学与计算机.2006,(05)
[2]邵红旭,孙宝刚,吴峻峰,钟兴华.0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性(英文)[J]半导体学报.2005,(11)
[3]邵红旭,韩郑生,孙宝刚.0.1μmSOI槽栅CMOS特性仿真[J]电子工业专用设备.2005,(01)
[4]吴峻峰,钟兴华,李多力,康晓辉,邵红旭,杨建军,海潮和,韩郑生.部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
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