罗明雄
【姓名】 罗明雄
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SiO2,阵列波导光栅(AWG),感应耦合等离子体刻蚀(ICP),铟铝砷/铟镓砷,变组分高电子迁移率晶体管,赝配高电子迁移率晶体管,发射极,镇流电阻,T形栅,发射极镇流电阻,In0.49Ga0.51P...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/3 3 3 0 6 246
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]石瑞英,孙海锋,袁志鹏,罗明雄,汪宁.发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响[J]半导体学报.2004,(07)
[2]石瑞英,孙海峰,刘训春,袁志鹏,罗明雄,汪宁.减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能[J]半导体学报.2004,(08)
[3]张海英,刘训春,罗明雄,刘洪民,王润梅.0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用[J]半导体学报.2004,(10)
更多