刘训春
【姓名】 刘训春
【职称】 研究员;教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 是化合物半导体器件与电路及微细加工
【发表文献关键词】 异质结双极型晶体管,自对准,InP/InGaAs,异质结双极晶体管,复合集电区,掺杂浓度,势垒尖峰,三指发射极,磷化铟,器件输出特性,新结构,集电结,成品率,磷化铟基,高电子迁移率晶体管,欧姆接触,合...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[2]汪明刚;杨威风;李超波;刘训春;夏洋;.Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究[J]半导体技术.2012,(05)
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[5]杨威;刘训春;朱旻;王润梅;申华军;.合金温度对薄基区InGaP/GaAs残余电压和欧姆接触的影响(英文)[J]半导体学报.2006,(05)
[6]苏树兵;刘新宇;徐安怀;于进勇;齐鸣;刘训春;王润梅;.MBE生长的InP DHBT的性能(英文)[J]半导体学报.2006,(05)
[7]苏树兵;徐安怀;刘新宇;齐鸣;刘训春;王润梅;.基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT[J]半导体学报.2006,(06)
[8]孙浩;齐鸣;徐安怀;艾立鹍;苏树兵;刘新宇;刘训春;钱鹤;.带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析[J]半导体学报.2006,(08)
[9]杨威;刘训春;朱旻;王润梅;申华军;.三指发射极InGaP/GaAs HBT的研制[J]半导体学报.2006,(09)
[10]刘亮;尹军舰;李潇;张海英;李海鸥;和致经;刘训春;.磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺[J]半导体学报.2006,(11)
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[1]苏树兵;于进勇;刘新宇;刘训春;王润梅;徐安怀;齐鸣;.高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27
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