李瑞贞
【姓名】 李瑞贞
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 集成电路工艺、器件模型及参数提取的研究
【发表文献关键词】 遗传算法,SOI,参数提取,阈值电压,全耗尽SOIMOSFET,模型,绝缘体上硅,动态阈值,浮体,模型参数,局部优化,物理意义,测试数据,测试结果,模拟结果,输出特性曲线,短沟道效应,数据拟合,器件模...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李瑞贞;韩郑生;.基于BSIM3V3的部分耗尽SOIMOSFET解析模型(英文)[J]功能材料与器件学报.2006,(01)
[2]李瑞贞;李多力;杜寰;海潮和;韩郑生;.基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取(英文)[J]半导体学报.2006,(05)
[3]毕津顺;吴峻峰;李瑞贞;海潮和;.绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究(英文)[J]电子器件.2007,(01)
[4]李瑞贞;李多力;杜寰;海潮和;韩郑生;.BSIM SOI阈值电压模型参数的提取[J]电子器件.2007,(01)
[5]李瑞贞;李多力;杜寰;海潮和;韩郑生;.全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型[J]功能材料与器件学报.2007,(01)
[6]李瑞贞,韩郑生.基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取[J]半导体学报.2005,(08)
[7]李瑞贞;韩郑生;.全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型(英文)[J]半导体学报.2005,(12)
[8]李瑞贞;韩郑生;.一种新的部分耗尽SOI器件BTS结构[J]电子器件.2005,(04)
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