李多力
【姓名】 李多力
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SONOS,多级单元,单管多位技术,部分耗尽,击穿特性,闪速存储器,体接触,浮栅,nMOS,部分耗尽SOI,半背沟道,翘曲效应,亚阈值泄漏电流,H型栅,pMOSFET,单管,硅化物,击穿电压,半背沟,...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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