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董立军
【姓名】
董立军
【职称】
工程师;
【研究领域】
无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】
薄膜工艺和特性研究
【发表文献关键词】
掩模,键合,X射线光刻,多晶硅薄膜,吸收体,投影光刻,MEMS,电子束光刻,掩模制备,微尖,金刚石,SiNx薄膜,散射角,悬臂梁,电子束,纳米加工,光刻掩模,微电子,新器件,光致发光,研究进展,纳米硅...
【工作单位】
中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】
中国科学院微电子研究所;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
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核心期刊论文数
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到11篇
[1]董立军;陈大鹏;欧毅;黄钦文;石莎莉;焦斌斌;李超波;杨清华;叶甜春;.
MEMS中的薄膜制造技术
[J]电子工业专用设备.2006,(01)
[2]景玉鹏;黄钦文;石莎莉;焦斌斌;李超波;董立军;杨清华;欧毅;陈大鹏;叶甜春;.
日本近年RF MEMS开关研究的进展
[J]电子工业专用设备.2006,(01)
[3]石莎莉;陈大鹏;丁德勇;欧毅;景玉鹏;董立军;叶甜春;.
MEMS器件牺牲层腐蚀释放技术研究
[J]微细加工技术.2006,(06)
[4]陈超;刘渝珍;董立军;陈大鹏;王小波;.
C~+注入a-SiN_x∶H的原子化学键合的研究
[J]半导体学报.2007,(03)
[5]陈超;刘渝珍;张国斌;徐彭寿;符义兵;董立军;陈大鹏;.
C~+注入a-SiN_x∶H薄膜的微结构及光发射的研究
[J]发光学报.2007,(04)
[6]杨清华,陈大鹏,叶甜春,刘明,陈宝钦,李兵,董立军.
电子束散射角限制投影光刻掩模研制
[J]光电工程.2004,(04)
[7]董立军,刘渝珍,陈大鹏,王小波.
富硅氮化硅薄膜的荧光发射
[J]发光学报.2005,(03)
[8]刘渝珍,陈大鹏,王小波,董立军.
沉积温度对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响
[J]半导体学报.2005,(08)
[9]王小波,刘渝珍,奎热西,董立军,陈大鹏.
SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响
[J]发光学报.2005,(04)
[10]焦斌斌,陈大鹏,叶甜春,欧毅,董立军,杨清华.
悬臂梁微尖端器件的制备与应用研究进展
[J]电子工业专用设备.2005,(01)
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中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]刘渝珍;陈超;徐彭寿;张国斌;董立军;陈大鹏;.
纳米硅对a-SiN_x:H薄膜荧光发射的影响
[A].TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2007-08-01
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