周雄博
【姓名】 周雄博
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 晶体,碘化,表面相变,红外,晶片,光学晶体,微观结构,晶格常数,非化学计量比,单晶,铊,透过率,坩埚下降法生长,立方相,技术研究所,透光性能,结构相变,下降速度,窗口材料,正交晶系,透过曲线,间隙原子...
【工作单位】 中国科学院广州电子技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院广州电子技术研究所;
【所在地域】 广州
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[1]陈福泉,林樽达,周雄博,余炳和,郭运祥,翟励强,俞茂名,黎土生.新型红外光学晶体——掺杂立方碘化铊单晶[J]人工晶体.1986,(03)
[2]陈福泉,林樽达,周雄博.參杂立方碘化铊晶片表面相变的研究[J]人工晶体.1988,(02)
[3]陈福泉,周雄博,翟励强.TIPbl_3晶体中组成对微观结构的影响[J]人工晶体.1988,(Z1)
[4]陈福泉,周雄博,翟励强.TlPbl_3晶体中非化学计量比组成对微观结构的影响[J]人工晶体学报.1990,(04)
[5]陈福泉,林樽达,周雄博,翟励强,郭运祥,黎土生,俞茂石.杂质对碘化铊结构相变的影响[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
[6]林樽达,翟励强,黎土生,郭运祥,俞茂名,周雄博,陈福泉.坩埚下降法生长TlSn_2l_5晶体[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
[7]陈福泉,林樽达,周雄博.杂质对碘化铊结构相变机理的影响[J]人工晶体学报.1992,(02)
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