朱建生
【姓名】 朱建生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;仪器仪表工业;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 少子产生寿命,区熔硅单晶,测试温度,位错环,氢含量,相图,氢气氛,晶片,纯氢,硅单晶,单晶,柏氏矢量,位错,缺陷密度,混合气氛,吸杂,冷却速度,玫瑰花结,晶体,滑移面,二次退火,X射线貌相,x射线,器...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]杨传铮,朱建生.含氢气氛下区熔硅单晶中缺陷的研究[J]物理学报.1982,(03)
[2]朱建生,谭淞生.测试温度对硅少子产生寿命的影响[J]半导体技术.1988,(06)
[3]朱建生.氯化氢热处理对硅少子产生寿命的影响[J]微电子学与计算机.1989,(06)
[4]朱建生;.激光修调系统简介[J]国外科学仪器.1990,(04)
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