赵建龙
【姓名】 赵建龙
【职称】 助理研究员;
【研究领域】 无线电电子学;基础医学;生物学;
【研究方向】 GaAs器件与电路的设计和工艺
【发表文献关键词】 旁栅距,结核分支杆菌,旁栅效应,旁栅阈值电压,生物芯片,电泳芯片系统,基因芯片技术,碰撞电离,微制造技术,微制造,MESFET,电泳芯片,DNA片段,芯片,芯片技术,金属-肖特基势垒场效应晶体管,分支...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[2]姚华,王国荃,朱滨,孙悦,景丰香,赵建龙.亚砷酸钠对生长发育影响的分子遗传机制研究[J]中华预防医学杂志.2004,(01)
[3]丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,赵建龙.GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响[J]半导体技术.2000,(04)
[4]刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申.半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J]半导体学报.2000,(01)
[5]丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,赵建龙.旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡[J]半导体学报.2000,(12)
[6]宁珺,丁勇,夏冠群,赵福川,毛友德,赵建龙.GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象[J]半导体杂志.2000,(01)
[7]毛友德,顾成余,丁勇,宁王君,夏冠群,赵建龙,赵福川.EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响[J]半导体杂志.2000,(03)
[8]宁珺,丁勇,毛友德,夏冠群,赵福川,赵建龙.GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象[J]微电子技术.2000,(02)
[9]丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,赵建龙.GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系[J]半导体学报.2001,(07)
[10]詹琰,夏冠群,王永生,赵建龙,朱朝嵩.2.5Gb/s Ga As MESFET定时判决电路(英文)[J]半导体学报.2001,(07)
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