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[4]刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申.半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J]半导体学报.2000,(01)
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[6]宁珺,丁勇,夏冠群,赵福川,毛友德,赵建龙.GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象[J]半导体杂志.2000,(01)
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[7]毛友德,顾成余,丁勇,宁王君,夏冠群,赵建龙,赵福川.EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响[J]半导体杂志.2000,(03)
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[8]宁珺,丁勇,毛友德,夏冠群,赵福川,赵建龙.GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象[J]微电子技术.2000,(02)
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[9]丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,赵建龙.GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系[J]半导体学报.2001,(07)
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[10]詹琰,夏冠群,王永生,赵建龙,朱朝嵩.2.5Gb/s Ga As MESFET定时判决电路(英文)[J]半导体学报.2001,(07)
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