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[1]王玉霞,温军,郭震,汤洪高,黄继颇,王连卫,林成鲁.在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜[J]半导体学报.2000,(06)
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[2]林成鲁,王连卫,陈向东,沈勤我,郑立荣,倪如山.硅上β-FeSi_2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究[J]光电子·激光.2000,(03)
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[3]多新中,张苗,符晓荣,王连卫,林成鲁.低压、低功耗SOI电路的进展[J]固体电子学研究与进展.2000,(01)
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[4]刘彦松,王连卫,黄继颇,林成鲁.利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜[J]压电与声光.2000,(05)
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[5]韩永召,李炳宗,茹国平,屈新萍,曹永峰,徐蓓蕾,蒋玉龙,王连卫,张荣耀,朱剑豪.SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延[J]半导体学报.2001,(10)
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[6]王玉霞,曹颖,何海平,汤洪高,王连卫,黄继颇,林成鲁.脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光[J]半导体学报.2001,(10)
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[7]刘彦松,王连卫,李伟群,黄继颇,林成鲁.用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜[J]功能材料.2001,(01)
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[8]刘卫丽,多新中,张苗,沈勤我,王连卫,林成鲁,朱剑豪.超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅[J]功能材料.2001,(06)
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[9]刘卫丽,多新中,张苗,沈勤我,王连卫,林成鲁.多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究[J]功能材料与器件学报.2001,(04)
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[10]范秀强,张正番,刘永光,多新中,张苗,王连卫,林成鲁.十二位SOI/CMOS数模转换器的研制[J]功能材料与器件学报.2002,(01)
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