孙成龙
【姓名】 孙成龙
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SOS膜,结晶质量,无定形硅,自掺杂,载流子浓度,薄硅,硅层,新途径,光吸收,蓝宝石衬底,电子束蒸发,外延生长,氢气氛,CVD方法,保护层,干涉显微镜,D方法,同外延,石墨基座,外延,
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]陈庆贵,史日华,蔡希介,武蕴忠,孙成龙,潘尧令.一种提高SOS膜结晶质量的新途径[J]应用科学学报.1985,(03)
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