史智华
【姓名】 史智华
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 有源区,双异质结发光管,发光二极管,集成透镜,辐射度,电子枪装配,γ辐照,InGaAsP/InP,有源层厚度,有源层,光纤传感器,辐射寿命,结平,光功率,近场图样,结隔离,位移测量,双异质结,掺杂密度...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]逄永秀,沈彭年,吴冠群,史智华,泮慧珍.快速发光二极管的性能与分析[J]发光与显示.1981,(04)
[2]朱建中,薛静琪,俞国林,史智华.非接触式微位移光纤传感器[J]传感技术学报.1990,(02)
[3]张桂成,史智华,李胜华.γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响[J]电子科学学刊.1990,(03)
[4]肖德元,陈瑞璋,朱黎明,史智华,徐少华,陈启玙,郭康瑾.集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究[J]发光学报.1991,(02)
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