施惠英
【姓名】 施惠英
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 复合中心,石墨舟,外延层,液相外延,InSb,电学性质,砷化镓材料,生长层,InGaAs／InP,反应管,补偿度,迁移率,PINP,电离杂质浓度,砷化镓,烘烤时间,外延,浅施主,冶金研究,外延生长,石...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]杨易，施惠英，程宗权.单片InGaAs／InP　PIN　PD阵列[J]半导体光电.1994,(02)
[2]施惠英,余海生,李连生,任尧成,江玲娣,孙清,邹元爔.石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质[J]半导体技术.1979,(03)
[3]孙清,邹元爔,施惠英.InSb中复合中心本性的推测[J]应用科学学报.1983,(04)
[4]孙清,吴汶海,邹元爔,施惠英.InSb_(1-x)Bi_x的液相外延[J]应用科学学报.1984,(03)
[5]施惠英,余海生,任尧成,蒋玉兰,孙秋霞,胡建.LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响[J]稀有金属.1985,(01)
[6]杨易;施惠英;.InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展[J]半导体光电.1993,(03)
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