沈国雄
【姓名】 沈国雄
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MESFET,液氮温度,工作特性,自由载流子,集成电路,耗尽型,沟道区,沟道,夹断电压,微波特性,本征跨导,差分放大器,双极型集成电路,载流子,霍尔测量,蓝宝石衬底,沟道电流,IEEE,单位电流增益频...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]沈国雄,赵鹏程.lμm MESFET/SOS 集成电路制备及液氮温度下器件的工作特性[J]应用科学学报.1983,(01)
[2]沈国雄;.光学曝光的潜力与前景[J]光学工程.1984,(06)
[3]沈国雄,郑养鉥,蔡根寿,顾惠芬,龚国忠,郑庆云.3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺研究[J]微电子学与计算机.1986,(04)
[4]沈国雄,严金龙.自动送片式反应离子刻蚀机[J]微电子学与计算机.1989,(06)
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