阮刚
【姓名】 阮刚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SIMOX,硅膜,SUPREM,VLSI,模型研究,离子注入,层厚度,沟道效应,离子注,射程表,二氧化硅,SOI结构,多层结构,硅化物,正射,新工艺,双层结构,氧注入,掩蔽层,等效厚度,离子数,大剂量...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]牛国富,阮刚.几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究[J]半导体学报.1992,(12)
[2]牛国富,阮刚.为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型[J]半导体学报.1993,(09)
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