彭瑞伍
【姓名】 彭瑞伍
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;化学;
【研究方向】 半导体材料生长及其物理化学的研究
【发表文献关键词】 光阴极,均匀性,生长速率,GaInP,本底浓度,MOCVD,外延层,人工神经网络,液平衡,液相线温度,迁移率,厚度均匀性,生长温度,外延片,扩散长度,掺杂行为,电学性质,会议论文集,表面形貌,异质材料...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[2]励翠云，彭瑞伍，王洁，徐晨梅.LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究[J]稀有金属.1994,(02)
[3]余庆选，彭瑞伍，励翠云.MOCVD　GaInP材料本底浓度及其掺Zn时组分的控制[J]半导体学报.1995,(01)
[4]严六明，吴伟，张靖巍，陈念贻，彭瑞伍.Ga－In－As－Sb系合金固－液平衡和人工神经网络预报[J]半导体学报.1995,(08)
[5]余庆选,励翠云,彭瑞伍.MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性[J]半导体学报.1997,(04)
[6]余庆选,励翠云,彭瑞伍.GaInP气相外延中Si的掺杂行为及发光二极管材料的制备[J]固体电子学研究与进展.1997,(03)
[7]张兆春,彭瑞伍,陈念贻,郭进.化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报[J]半导体学报.1998,(01)
[8]张兆春，彭瑞伍，陈念贻，詹千宝.稠环烃有机半导体禁带宽度的人工神经网络预报[J]化学物理学报.1998,(05)
[9]彭瑞伍,胡金波.MOCVD化合物半导体材料及其应用[J]稀有金属.1998,(03)
[10]张兆春,苏航,吴铸,陈念贻,彭瑞伍.应用NRTL方程从液-液部分互溶二元合金系相图提取热力学数据[J]稀有金属.1998,(05)
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[1]张兆春;郭景康;李重河;陈念贻;彭瑞伍;.含SiO_2和B_2O_3氧化物二元系液相分层的一些规律以及偏晶温度的ANN预报[A].第九届全国相图学术会议论文集.1997-10-01
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