彭鹏
【姓名】 彭鹏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 铟镓磷,气态源分子束外延,异质结双极晶体管,GSMBE,微结构材料,电流增益,基区,发射极,复合电流,GaAs,发射区,空间电荷区,异质结,表面复合电流,族分,发射结,外延层,束源,隔离层,异质结界面,
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]陈晓杰,陈建新,陈意桥,彭鹏,李爱珍.GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)
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[1]彭鹏.GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究[D].中国科学院上海冶金研究所.2000
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