倪如山
【姓名】 倪如山
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 散射中心,硼注入,位错环,快速热退火,氟泡,沟道,火行为,产额,辐射损伤,注入硅,多晶硅薄膜,离子注入,SOI结构,BF_2~+注入,SIMOX,SIMNI,注硼,多晶硅,深度分布,光学性质,位错,埋...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到17篇
[1]林成鲁,王连卫,陈向东,沈勤我,郑立荣,倪如山.硅上β-FeSi_2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究[J]光电子·激光.2000,(03)
[2]倪如山，朱文化，林成鲁.SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究[J]分析测试学报.1994,(05)
[3]倪如山,王连卫,沈勤我,林成鲁.β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析[J]电子显微学报.1996,(06)
[4]林成鲁，周祖尧，竺士炀，林梓鑫，倪如山.离子束合成SIMOX技术的进展[J]微电子学.1996,(03)
[5]杨平雄,郑立荣,倪如山,林成鲁.脉冲激光沉积SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜电容特性研究[J]功能材料与器件学报.1997,(02)
[6]倪如山;.激光退火多晶硅的透射电子显微镜观察[J]电子显微学报.1983,(03)
[7]邹世昌;沈宗雍;林成鲁;倪如山;林梓鑫;姚良骐;朱桂枫;.SiO_2绝缘衬底上多晶硅的Ar~+激光再结晶[J]电子学报.1983,(05)
[8]倪如山;.激光再结晶多晶硅中缺陷的TEM观察[J]电子显微学报.1984,(04)
[9]王济身;徐静芳;陈建武;邹世昌;林成鲁;倪如山;.硼离子注入多晶硅薄膜的电学性质[J]电子学报.1984,(03)
[10]邹世昌,倪如山,张祖华.硼注入<100>硅残余缺陷的沟道研究[J]半导体学报.1985,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]倪如山;林成鲁;.离子注入形成SOI材料的XTEM分析[A].第六次全国电子显微学会议论文摘要集.1990-10-01
[2]倪如山;朱文化;林成鲁;.SIMOX上外延层的TEM研究[A].第七次全国电子显微学会议论文摘要集.1993-04-01
[3]倪如山;.激光再结晶多晶硅中缺陷的TEM观察[A].第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）.1983-06-30
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