励翠云
【姓名】 励翠云
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;机械工业;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 汽相外延,光阴极,p-n结,载流子浓度,掺Zn的GaAs,砷化镓气相外延,砷化镓光阴极材料,砷化镓,外延层,GaAlAs／GaAs,掺C,生长速率,均匀性,掺杂源,GaAs,气相外延,生长温度,GaI...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]励翠云，彭瑞伍，韦光宇，徐晨梅.LPE法GaAlAs／GaAs多层光阴极材料的研制与性质[J]稀有金属.1994,(01)
[2]励翠云，彭瑞伍，王洁，徐晨梅.LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究[J]稀有金属.1994,(02)
[3]余庆选，彭瑞伍，励翠云.MOCVD　GaInP材料本底浓度及其掺Zn时组分的控制[J]半导体学报.1995,(01)
[4]余庆选,励翠云,彭瑞伍.MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性[J]半导体学报.1997,(04)
[5]余庆选,励翠云,彭瑞伍.GaInP气相外延中Si的掺杂行为及发光二极管材料的制备[J]固体电子学研究与进展.1997,(03)
[6]彭瑞伍,徐晨梅,励翠云,王博弘.砷化镓汽相外延中Cd的行为和p-n结材料的制备[J]电子科学学刊.1985,(04)
[7]彭瑞伍,徐晨梅,励翠云,张霞芳,赵喆.砷化镓气相外延中Zn的行为和微光材料的制备[J]电子科学学刊.1990,(03)
[8]励翠云;韦光宇;余庆选;.半导体外延材料导电类型及载流子浓度的简易判定法[J]上海金属.有色分册.1993,(03)
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