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[2]柏劲松,陈高庭,张云妹,方祖捷,李爱珍,郑燕兰,林春.1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器[J]半导体光电.2000,(05)
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[3]陈晓杰,陈建新,陈意桥,彭鹏,李爱珍.GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)
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[4]胡国华,陈光德,齐鸣,李爱珍,林景瑜,江红星.GaN受激喇曼散射谱研究[J]西安交通大学学报.2000,(10)
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[5]刘训春,陈俊,王润梅,王惟林,李无瑕,李爱珍,陈建新,陈意桥,陈晓杰,杨全魁.单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
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[6]郑燕兰,李爱珍,林春,李存才,胡建.AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
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[7]张永刚,陈建新,陈意桥,齐鸣,李爱珍.1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
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[8]刘家洲,李爱珍,张永刚.光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展[J]半导体光电.2001,(04)
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[9]张永刚,李爱珍.中红外量子级联激光器的发射光谱测量[J]半导体光电.2001,(04)
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[10]柏劲松,方祖捷,张云妹,张位在,陈高庭,李爱珍,陈建新.GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器[J]半导体学报.2001,(01)
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