黄继颇
【姓名】 黄继颇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电子束蒸发,氮化铝,宽禁带半导体,氮化,AlN薄膜,高温器件和电路,SOI,异质外延,脉冲激光沉积,超高真空,介电性,SiC,AIN薄膜,注入损伤,晶态,氮化处理,高温器,氯化铝,脉冲准分子激光沉积,...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]王玉霞,温军,郭震,汤洪高,黄继颇,王连卫,林成鲁.在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜[J]半导体学报.2000,(06)
[2]刘彦松,王连卫,黄继颇,林成鲁.利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜[J]压电与声光.2000,(05)
[3]王玉霞,曹颖,何海平,汤洪高,王连卫,黄继颇,林成鲁.脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光[J]半导体学报.2001,(10)
[4]刘彦松,王连卫,李伟群,黄继颇,林成鲁.用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜[J]功能材料.2001,(01)
[5]黄继颇，王连卫，林成鲁.性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜[J]功能材料.1999,(02)
[6]黄继颇,王连卫,高剑侠,林成鲁,周艳萍.脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究[J]中国激光.1999,(09)
[7]刘彦松,多新中,黄继颇,张苗,王连卫,林成鲁.SOI高温器件及其在汽车电子等领域中的应用[J]物理.1999,(07)
[8]黄继颇,王连卫,祝向荣,多新中,林成鲁.脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜[J]压电与声光.1999,(05)
[9]王连卫,黄继颇,林成鲁,郑玉祥.氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响[J]功能材料与器件学报.1999,(03)
[10]黄继颇,王连卫,林成鲁.宽禁带半导体SiC的离子束合成、掺杂、隔离与智能剥离[J]物理.1998,(05)
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