胡福义
【姓名】 胡福义
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,GaAs/Si,外延层,声子,剩余应力,Si衬底,喇曼散射,调制光谱,晶体质量,起源,GaAs外延层,英文,张应力,分子束外延,应变层,应力性,喇曼谱,晶向,失配位错,质的研究,双晶衍射,失...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]胡福义,李爱珍.Si衬底上MBE长成的GaAs中剩余应力起源的研究(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[2]胡福义,李爱珍.分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究[J]物理学报.1991,(06)
[3]胡福义,李爱珍,王建新.MBE GaAs/Si材料应力性质的研究[J]半导体学报.1991,(10)
[4]胡雨生,胡福义,汪乐,李爱珍,范伟栋.MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究[J]半导体学报.1993,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]胡雨生;胡福义;李爱珍;诸幼令;.MBE—GaAs/Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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