何德湛
【姓名】 何德湛
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 外延工艺,超纯氢,硅衬底,贮氢,本征吸收,缺陷控制,加氯,寄生效应,集成电路,快速热退火,基区,双极集成电路,闸流,电流放大系数,外延,台面,CMOS,多晶硅,发射极结构,共基极,氮气,合金,发射区,...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]何德湛.发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造[J]半导体技术.1999,(03)
[2]何德湛,郑宜波,张敏.原子力显微镜微探针制造及阳极键合技术[J]半导体技术.1997,(02)
[3]何德湛,陈学良,朱培青,李东宏.快速热处理技术在集成电路制造上的应用[J]半导体技术.1997,(06)
[4]何德湛,谢明纲,陈明琪,吴佛春.亚ns高速双极IC的薄层外延[J]微电子学与计算机.1987,(05)
[5]谢明纲,何德湛,陈明琪,吴佛春.U型槽隔离技术研究[J]微电子学与计算机.1987,(07)
[6]何德湛,谢明纲,陈明琪,吴佛春.合金贮氢瓶的超纯氢在彩电集成电路外延工艺中的应用[J]半导体技术.1988,(01)
[7]许康,王为林,史遵兰,罗桂昌,何德湛,邵海文.硅衬底中缺陷的控制和利用[J]电子科学学刊.1988,(03)
[8]何德湛.PNPN管原理在分析CMOS寄生效应中的应用[J]半导体技术.1990,(01)
[9]何德湛,陈学良,杨华丽,刘晓岚.高速双极集成电路中的快速热退火[J]半导体技术.1992,(01)
[10]何德湛,陈益清.台面型半导体器件的制造方法[J]物理.1992,(04)
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