方红丽
【姓名】 方红丽
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子束刻蚀,刻蚀速率,闪耀光栅,反应离子束,氟碳聚合物,菲涅耳,离子束,氧化硅,集成光学头,选择比,自集成透镜,金环,离子能量,束流密度,入射,离子束铣,反应气体,光栅耦合器,冶金研究,集成透镜,光波...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]邹志强,杨立新,方红丽,胡少坚,陈国明,沈德芳.集成光学头用的波导光栅耦合器的制作与性能研究[J]功能材料与器件学报.1999,(01)
[2]傅新定,任琮欣,陈国明,方红丽,杨洁.磁泡存储器Ni—Fe合金薄膜离子束刻蚀[J]微电子学与计算机.1981,(02)
[3]任琮欣;傅新定;陈国明;杨洁;方红丽;.离子束刻蚀的荫影效应研究[J]微电子学与计算机.1981,(03)
[4]傅新定;陈国明;任琮欣;陈昌明;陈莉芝;方红丽;杨洁;.磁泡存贮器平面技术[J]磁性材料及器件.1982,(04)
[5]傅新定,陈国明,任琮欣,郑廷芳,陈莉芝,方红丽,杨洁.反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究[J]半导体学报.1985,(04)
[6]任琮欣;陈国明;傅新定;杨洁;方红丽;邹世昌;.斜入射低能离子束溅射表面貌相的研究[J]真空科学与技术.1985,(06)
[7]傅新定,方红丽,陈国明,邹世昌.反应离子束刻蚀闪耀光栅技术[J]应用科学学报.1989,(03)
[8]傅新定,方红丽.离子束刻蚀菲涅耳金环研究[J]核技术.1989,(05)
[9]肖德元,郭康瑾,付新定,徐少华,方红丽,张坚萍,陈启玙,陈瑞璋.自集成透镜InGaAsP/InPDHLED及其离子束铣技术[J]光学学报.1991,(01)
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