范伟栋
【姓名】 范伟栋
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs/Si,瞬态退火,双注入,调制光谱,激活率,GaAs,应变层,迁移率,有源层,双晶衍射,快速热退火,剩余应力,GaAs外延层,固相外延,退火温度,异质结,能隙,沟道谱,光调制反射光谱,荧光激发...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/2 1 1 1 2 34
中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]范伟栋,王渭源.As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为[J]半导体学报.1989,(03)
[2]胡雨生,胡福义,汪乐,李爱珍,范伟栋.MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究[J]半导体学报.1993,(03)
更多