陈启屿
【姓名】 陈启屿
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 发光二极管,瞬态电容,深中心,双异质结,InGaAsP/InP,深能级陷阱,砷化镓,InGaAsP,气相外延,热激,势垒电容,能级,样品室,光功率输出,液相外延,能级位置,深能级中心,充氩,外延片,反...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]周炳林,汪乐,邵永富,陈启屿.砷化镓中深能级陷阱的测量[J]物理学报.1979,(03)
[2]水海龙,张桂成,邬祥生,陈启屿,徐少华,杨易,胡道珊.1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究[J]电子学通讯.1982,(05)
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