尹志军
【姓名】 尹志军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 调制中断,表面形貌,GaN薄膜,同步辐射,光电子能谱,Au/GaN欧姆接触,态密度,生长模式,肖特基势垒高度,芯能级,生长技术,外延薄膜,三维岛状生长,反射式高能电子衍射,价带,金膜,束流,扫描电子显...
【工作单位】 中国科学院固体物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院固体物理研究所;
【所在地域】 合肥
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[1]王莹;李素云;尹志军;.氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析[J]光谱学与光谱分析.2010,(08)
[2]钟飞;邱凯;李新化;尹志军;姬长建;韩奇峰;曹先存;陈家荣;段铖宏;周秀菊;王玉琦;.采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌[J]半导体学报.2007,(08)
[3]邹崇文,孙柏,王国栋,张文华,徐彭寿,潘海斌,徐法强,尹志军,邱凯.低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究[J]物理学报.2005,(08)
[4]孙娟;谢自力;邱凯;尹志军;.(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性[J]半导体技术.2008,(S1)
[5]李新化;钟飞;邱凯;尹志军;姬长建;.Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy[J]Chinese Physics B.2008,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]孙娟;谢自力;邱凯;尹志军;.(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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