陈猛
【姓名】 陈猛
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SOI,缺陷,Secc,SIMOX,线缺陷密度,硅岛密度,局域注氧技术,Si/SiO2界面,低剂量,DSOI,线缺陷,Cu-plating,Secco,自热效应,圆片,顶层硅,埋层,注入剂量,热阻,注...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]何平,江波,林曦,刘理天,田立林,李志坚,董业明,陈猛,王曦.一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文)[J]半导体学报.2003,(06)
[2]郑望,陈猛,陈静,林梓鑫,王曦.低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度[J]半导体学报.2001,(07)
[3]陈猛,陈静,郑望,李林,牟海川,林梓鑫,俞跃辉,王曦.低剂量SIMOX圆片研究[J]半导体学报.2001,(08)
[4]郑望,陈猛,陈静,林梓鑫,王曦.低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究[J]功能材料与器件学报.2001,(04)
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