陈国樑
【姓名】 陈国樑
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 溅射率,二元化合物,刻蚀速率,氮化硅薄膜,离子束,元素靶,溅射,入射,升华能,溅射原子,原子,临界温,低能离子注入,靶原子,轻离子,元素,多晶,实验值,电声耦合,德拜温度,产额,相对原子,重离子,电子...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]陈国樑.Sigmund元素溅射率公式的修正[J]半导体学报.1985,(06)
[2]陈国樑.元素溅射率与离子束入射角的关系[J]核技术.1987,(05)
[3]陈国樑.二元化合物总原子溅射率和刻蚀速率的经验公式[J]半导体学报.1987,(04)
[4]陈国明,陈国樑,杨絜,邹世昌.低能离子注入形成氮化硅薄膜特性的研究[J]物理学报.1988,(03)
[5]陈国樑.超导化合物临界温度 T_c 的经验公式[J]无机材料学报.1989,(04)
[6]朱德彰,潘浩昌,曹建清,朱福英,陈国明,陈国樑,杨絜,邹世昌.用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化[J]物理学报.1990,(08)
[7]陈国樑,任琮欣,陈建民,杨絜,李贻杰,陈正秀,汪乐,谢雷鸣,邹世昌.离子束溅射沉积制备高J_cYBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜[J]低温物理学报.1991,(01)
[8]任琮欣,陈国樑,李贻杰,陈建民,杨絜,张骥华,陈业新,陈正秀,汪乐,邹世昌.半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜[J]低温物理学报.1992,(01)
[9]陈国樑,任琮欣,陈建民,李贻杰,邹世昌.脉冲激光束刻蚀和淀积速率的计算[J]低温物理学报.1992,(01)
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