邢玉梅
【姓名】 邢玉梅
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;航空航天科学与工程;物理学;
【研究方向】 特种SOI薄膜材料研究
【发表文献关键词】 埋层,氧化铪,碳化硅,离子束合成,SOI材料,高kHfON介电薄膜,总剂量辐射,陷阱电荷,甲烷,等离子体,离子注入,碳离子注入,抗辐射性能,β-SiC,氮元素,结构研究,红外反射光谱,结晶质量,电压漂...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 北京中国
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[1]宋朝瑞;程新红;张恩霞;邢玉梅;俞跃辉;郑志宏;沈勤我;张正选;王曦;.氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究[J]核技术.2007,(08)
[2]邢玉梅,俞跃辉,林梓鑫,宋朝瑞,杨文伟.高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究[J]功能材料与器件学报.2004,(03)
[3]邢玉梅,陶凯,俞跃辉,郑志宏,杨文伟,宋朝瑞,沈达身.在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜[J]功能材料.2004,(06)
[4]邢玉梅,俞跃辉,陈可炜,郑志宏,杨文伟.CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺[J]压电与声光.2005,(03)
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