孙佳胤
【姓名】 孙佳胤
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SIMON,注入剂量,氧氮,绝缘体上的硅,埋层,氮化镓,金属有机物化学气相外延,降低应力,顶层硅,外延层,释放机制,衬底材料,晶格失配,薄膜,张应力,插入层,硅衬底,外延生长,界面滑移,上海微系统与信...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]孙佳胤;陈静;王曦;王建峰;刘卫;朱建军;杨辉;.基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制[J]功能材料与器件学报.2007,(04)
[2]杨志峰;陈静;孙佳胤;武爱民;王曦;.SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析[J]功能材料与器件学报.2008,(06)
[3]张恩霞,孙佳胤,易万兵,陈静,金波,陈猛,张正选,张国强,王曦.注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究[J]功能材料与器件学报.2004,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]王曦;孙佳胤;武爱民;陈静;王曦;.新型硅基GaN外延材料的热应力模拟[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（10）.2007-11-01
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