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【姓名】	隋妍萍
【职称】
【研究领域】	化学;金属学及金属工艺;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	Ⅲ/Ⅴ比,分子束外延(MBE),二维生长模式,光致发光(PL)谱,等离子体辅助分子束外延,氮化镓,纳米孔,阳极氧化铝,ICP刻蚀,Raman,分子束外延,表面形貌,PL谱,黄带发光,射频等离子体,外延...
【工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】	上海

中国期刊全文数据库 共找到8篇

[1]田闯;肖润涵;隋妍萍;冯钰涵;王浩敏;赵孙文;刘家文;高秀丽;孙浩;彭松昂;金智;刘新宇;王爽;李湃;于广辉;.VLS和VSS生长机制调控的单层TMD中的反向掺杂分布（英文）[J]Science China(Materials).2023,(12)

[2]康鹤;张燕辉;吴云;胡诗珂;李晶;陈志蓥;隋妍萍;王爽;赵孙文;肖润涵;于广辉;彭松昂;金智;刘新宇;.通过亚甲基蓝表面修饰实现对生长在铂上的石墨烯的无损可视化（英文）[J]Science China(Materials).2022,(10)

[3]胡诗珂;李晶;展肖依;王爽;雷龙彪;梁逸俭;康鹤;张燕辉;陈志蓥;隋妍萍;姜达;于广辉;彭松昂;金志;刘新宇;.蓝宝石衬底上NaOH辅助CVD法制备有序单层MoS_2条带（英文）[J]Science China Materials.2020,(06)

[4]邓荣轩;张浩然;张燕辉;陈志蓥;隋妍萍;葛晓明;梁逸俭;胡诗珂;于广辉;姜达;.Graphene/Mo_2C heterostructure directly grown by chemical vapor deposition[J]Chinese Physics B.2017,(06)

[5]王斌;赵志德;隋妍萍;徐伟;于广辉;.N扩散对熔液法生长GaN晶体外延速率的影响[J]功能材料与器件学报.2013,(02)

[6]隋妍萍;于广辉;俞谦荣;齐鸣;.Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响[J]光电子·激光.2006,(08)

[7]王笑龙;于广辉;雷本亮;隋妍萍;孟胜;齐鸣;李爱珍;.纳米孔氮化镓材料的制备和研究[J]功能材料与器件学报.2006,(04)

[8]隋妍萍;于广辉;孟胜;雷本亮;王笑龙;王新中;齐鸣;.射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光[J]发光学报.2006,(06)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]张燕辉;陈志蓥;张浩然;葛晓明;徐伟;隋妍萍;于广辉;.铜上CVD石墨烯的可控制备及其缺陷相关研究[A].第二届海峡两岸功能材料科技与产业峰会（2015）摘要集.2015-08-21

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