陈猛
【姓名】 陈猛
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SOI结构,SOI,低剂量注水,注入能量,DSOI,局域注氧技术,离子注入,埋层,XTEM,埋层增宽,氢、氧复合注入,自热效应,注氧隔离,SIMOX,SIMS,低剂量,SOI材料,共注入,氧沉淀,边界...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]林羲,何平,田立林,李志坚,董业民,陈猛,王曦.采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性(英文)[J]半导体学报.2003,(02)
[2]何平,刘理天,田立林,李志坚,董业明,陈猛,王曦.SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量[J]半导体学报.2003,(10)
[3]林羲,董业民,何平,陈猛,王曦,田立林,李志坚.DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较[J]清华大学学报(自然科学版).2003,(07)
[4]易万兵,陈猛,陈静,王湘,刘相华,王曦.氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究[J]功能材料与器件学报.2003,(01)
[5]易万兵,陈猛,张恩霞,刘相华,陈静,董业民,金波,刘忠立,王曦.具有复合埋层的新型SIMON材料的制备[J]半导体学报.2004,(07)
[6]张恩霞,孙佳胤,易万兵,陈静,金波,陈猛,张正选,张国强,王曦.注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究[J]功能材料与器件学报.2004,(04)
[7]郑中山,刘忠立,张国强,李宁,范楷,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响[J]物理学报.2005,(01)
[8]张国强,刘忠立,李宁,范楷,郑中山,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响[J]半导体学报.2005,(04)
[9]陈静,王湘,董业民,郑志宏,陈猛,王曦.低能低剂量注水形成SOI结构材料的研究[J]功能材料与器件学报.2002,(02)
[10]黎传礼,俞跃辉,陈猛.低剂量SOI圆片的无损电学表征测试[J]功能材料与器件学报.2002,(02)
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