艾立鹍
【姓名】 艾立鹍
【职称】 助理研究员;
【研究领域】 无线电电子学;化学;金属学及金属工艺;
【研究方向】 GaAs
【发表文献关键词】 InP/InGaAs,异质结双极晶体管,复合集电区,掺杂浓度,势垒尖峰,器件输出特性,集电结,新结构,阻挡效应,气态源分子束外延,有效势垒高度,导带,插入层,电流密度,器件特性,材料结构,击穿电压,分...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]周书星;齐鸣;艾立鹍;徐安怀;汪丽丹;丁芃;金智;.Effects of Si δ-Doping Condition and Growth Interruption on Electrical Properties of InP-Based High Electron Mobility Transistor Structures[J]Chinese Physics Letters.2015,(09)
[2]周书星;方仁凤;魏彦锋;陈传亮;曹文彧;张欣;艾立鹍;李豫东;郭旗;.磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计[J]物理学报.2022,(03)
[3]田方坤;艾立鹍;孙国玉;徐安怀;黄华;龚谦;齐鸣;.In_yAl_(1-y)As线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响（英文）[J]红外与毫米波学报.2022,(04)
[4]周书星;艾立鹍;齐鸣;徐安怀;颜家圣;李树森;金智;.Characterization of low-resistance ohmic contacts to heavily carbon-doped n-type InGaAsBi films treated by rapid thermal annealing[J]Chinese Physics B.2021,(02)
[5]周书星;方仁凤;陈传亮;张欣;魏彦锋;曹文彧;类淑来;艾立鹍;.不同能量和注量电子辐照对InP HEMT材料电学特性影响（英文）[J]原子能科学技术.2021,(12)
[6]李家恺;艾立鹍;齐鸣;徐安怀;王庶民;.Effects of growth conditions on optical quality and surface morphology of InGaAsBi[J]Chinese Physics B.2018,(04)
[7]周书星;齐鸣;艾立鹍;徐安怀;.Growth condition optimization and mobility enhancement through inserting AlAs monolayer in the InP-based In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMT structures[J]Chinese Physics B.2016,(09)
[8]孙浩;齐鸣;艾立鹍;徐安怀;滕腾;朱福英;.用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)[J]电子器件.2011,(01)
[9]艾立鹍;徐安怀;孙浩;朱福英;齐鸣;.新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究[J]固体电子学研究与进展.2010,(01)
[10]孙浩;齐鸣;徐安怀;艾立鹍;苏树兵;刘新宇;刘训春;钱鹤;.带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析[J]半导体学报.2006,(08)
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