谢葆珍
【姓名】 谢葆珍
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背散射测量,砷注入,浓度分布,背散射,硅酸盐玻璃,单晶硅,GaAs,背散射分析,接触界面,实验技术,注入剂量,沟道效应,沟道分析,背散射谱,中子嬗变掺杂,退火效应,表面组分,能谱,退火温度,外延层,合...
【工作单位】 中国科学院高能物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院高能物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]殷士端,张敬平,顾铨,钟士谦,王振明,谢葆珍,刘世杰.用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布[J]微细加工技术.1983,(01)
[2]谢葆珍,刘世杰,张敬平,殷士端,顾诠,戴爱平.用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面[J]半导体学报.1984,(01)
[3]谢葆珍,姚英,张福有,李景修,董玉兰.硅酸盐玻璃成分及杂质元素在玻璃中分布的探讨[J]核技术.1985,(06)
[4]郑胜男,阎建华,王豫生,李跃鑫,谢葆珍,莫培根.GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析[J]半导体学报.1986,(05)
[5]胡仁元;王忠烈;刘伊犁;谢葆珍;.硅上硅化钛相变和生长动力学研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1986,(01)
[6]来永春;王大椿;张通和;罗晏;沈京华;林振金;谢葆珍;刘有宝;卢英华;边江;.离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用[J]北京师范大学学报(自然科学版).1986,(03)
[7]王豫生,阎建华,郑胜男,殷士端,张敬平,顾诠,代爱平,谢葆珍,刘士杰.沟道效应及某些应用的研究[J]核技术.1987,(06)
[8]刘世杰;吴越;谢葆珍;李春瑛;耿小敏;吴佩琏;.锑化铟红外探测器二氧化硅钝化膜中氢含量的分析[J]激光与红外.1988,(04)
[9]刘世杰;谢葆珍;吴越;唐孝威;.用卢瑟福背散射方法研究陨石中的超重核块[J]高能物理与核物理.1989,(02)
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