吴作良
【姓名】 吴作良
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 界面态密度,氢离子注入,转移失效率,CCD,远红外探测器,电离辐射损伤,光电导谱,平带电压,非化学计量比,Si-SiO_2,氢离子,薄膜,栅区,光电性质,界面态,晶体,超高真空,退火时间,Si异质结,...
【工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】 上海
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[1]尹洪禹,吴作良,谢文利,杨森.超高真空射频磁控溅射镀膜机(双室三靶)及其应用[J]真空.2000,(03)
[2]王玲杰,林应新,陈泉森,吴作良.氢离子注入对Si-SiO_2界面态密度的影响[J]固体电子学研究与进展.1986,(03)
[3]吴作良,梁平治,董亮初,凌裕农,董建民,王留福.硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的红外响应[J]红外研究(A辑).1986,(05)
[4]任迪运,张玲珊,瞿则涛,严荣良,董亮初,王缙,吴作良.表面n沟CCD的电离辐射损伤[J]核电子学与探测技术.1987,(03)
[5]冯志华,董建民,凌裕农,吴作良,沈重辉.PtSi肖脱基势垒红外焦平面光腔结构的研究[J]红外研究.1989,(03)
[6]吴作良;陈敏挥;董亮初;.照相机用蓝硅光电二极管光谱响应的测量[J]计量技术.1989,(02)
[7]陈福泉,翟励强,林樽达,吴汝佳,吴作良.TIPbI和掺杂TIPbI_3晶体的光电特性[J]人工晶体学报.1993,(01)
[8]龚大卫,杨小平,卫星,郑国祥,胡际璜,张翔九,盛篪,王迅,董健民,吴作良,梁平治.新型Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器[J]半导体学报.1993,(04)
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