黄根生
【姓名】 黄根生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 剥层霍耳测量,MBE,Cd_(1-y)Zn_yTe,红外透射光谱,HgCdTe,组份,光致发光谱,显微光致发光,CdZnTe,B离子注入,电学参数,电学性质.,掺杂,液相外延,HgCdTe材料,结区,...
【工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】 上海
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[1]黄根生,陈新强,杨建荣,何力.碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能[J]红外与毫米波学报.2000,(02)
[2]李志锋,陆卫,蔡炜颖,黄根生,杨建荣,何力,沈学础.Cd_(1-x)Zn_xTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征[J]半导体学报.2001,(02)
[3]俞谦荣,杨建荣,黄根生,陈新强,夏义本,何力.p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究[J]红外与毫米波学报.2002,(02)
[4]黄根生,姬荣斌,方维政,杨建荣,陈新强,何力.MBE生长的HgCdTe材料B离子注入特性研究[J]红外与毫米波学报.1999,(01)
[5]黄根生,张小平,常勇,于福聚,杨建荣,何力.CdZnTe晶片中的Zn组分的研究[J]红外与毫米波学报.1999,(06)
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